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xray檢測
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微米級電子半導體X-ray檢測
發(fā)布時間:2020-03-18 09:00:00

隨著制造工藝更新?lián)Q代半導體的電路線寬越微細化目前**進的是7納米(納米為10億分之1米)5nm工藝的芯片正式生產(chǎn)也已經(jīng)提上日程。半導體線路越細微化性能越會提高,耗電量也將降低但同時生產(chǎn)將會有很大的難度,如果出現(xiàn)細微的缺陷半導體的電路就無法正常形成。



半導體制造工藝的精細化,相應(yīng)半導體缺陷檢測難度也越困難微米級電子半導體最常使用的是X-ray實時成像檢測裝備,從檢測圖像中找到缺陷位置,但由于電子元件越做越小,所以對X-ray檢測設(shè)備的分辨率和放大倍率要求很高。目前精度**的是半導體CT檢測設(shè)備,它與X-ray設(shè)備檢測原理相同,但CT設(shè)備的檢測精度會更高,并且它的檢測圖像是三維的,通過對被測物體進行360度旋轉(zhuǎn)獲取成百上千張二維數(shù)字成像投影并通過特定的算法將其重建為三維體積圖像用戶可以對三維體積進行任意角度的觀察和切片。


日聯(lián)科技CT檢測圖像

CT檢測圖像



X射線檢測裝備主要是檢測半導體接線處的焊接問題,焊接容易出現(xiàn)虛焊、漏焊等缺陷,一旦形成這些缺陷,半導體就容易出現(xiàn)短路等問題,為了半導體元件的正常使用,在焊接完成后需要進行缺陷檢測。隨著半導體生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展,X射線檢測裝備也在不斷研發(fā)升級,致力于為電子制造商提供優(yōu)質(zhì)的檢測裝備。


納米級芯片檢測目前X射線檢測裝備還無法達到檢測要求,但為了適應(yīng)科技的發(fā)展,各類缺陷檢測手段一定會應(yīng)運而生,用來更好的服務(wù)產(chǎn)品和企業(yè)。





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